BSC025N08LS5ATMA1，英飞凌MOS场效应管原装

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5L-2R6
IPD040N03LGATMA1
IPD050N10N5ATMA1
IPD090N03LGATMA1
IPD11DP10NMATMA1
IPD135N03LGBTMA1
IPD18DP10LMATMA1
IPD19DP10NMATMA1
IPD25DP06LMATMA1
IPD350N06LGBTMA1
IPD40DP06NMATMA1
IPD42DP15LMATMA1
IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R280CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1
IPD50R520CPATMA1
IPD50R650CEAUMA1
IPD50R800CEAUMA1
原装，诚信合作，欢迎合作！

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系，网站内手机，期待你的合作！

P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC100N08S5N043
IAUC100N10S5L040
IAUC100N10S5N040
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUS165N08S5N029
IAUS180N04S4N015
IAUS200N08S5N023
IAUS240N08S5N019
IAUS300N04S4N007
IAUS300N08S5N012
IAUS300N08S5N014
IAUT150N10S5N035
IAUT200N08S5N023
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF
IRFR18N15DTRPBF
IRFR2307ZTRLPBF
IRFR24N15DTRPBF
IRFR3709ZTRLPBF
IRFR3710ZTRLPBF
IRFR7746PBF-INF
IRFR9024NTRLPBF
IRFR9120NTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRRPBF
IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4410PBF-INF
IRFS4410ZTRLPBF
IRFU3607TRL701P
IRFU4105ZPBF-IR
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IPP040N06NAKSA1特性：
OptiMOS™ 5 60V针对开关模式电源（SMPS）的同步整流进行了优化，例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是各种工业应用的理想选择，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。
主要功能：
针对同步整流进行了优化
R 降低 40%DS（开启）比替代设备
FOM 比同类设备提高 40%
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 等级
优点：
高的系统效率
需要更少的并联
提高功率密度
降低系统成本
极低电压过冲
IPP040N06NAKSA1
IPP060N06NAKSA1
IPP100N06S2L-05
IPP100N08S2L-07
IPT004N03LATMA1
IPT007N06NATMA1
IPT012N06NATMA1
IPZ40N04S5L-2R8
IPZ40N04S5L-7R4
IRF100P218AKMA1
IRF100P219AKMA1
IRF100P219XKMA1
IRF1010ESTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRRPBF
IRF1010ZSTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF
IRF1404ZSTRLPBF
IRF1405ZSTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！