STF6N95K5，ST意法场效应管原装供货

STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD3NK100Z
STD3NK50ZT4
STD3NK60Z-1
STD3NK80Z-1
STD3NK80ZT4
STD3NK90ZT4
STD40NF03LT4
STD40NF10
STD45N10F7
STD4LN80K5
STD4N80K5
STD4N90K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STFW2N105K5，N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW45N65M5，N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STF10NM60N
STF10P6F6
STF11N50M2
STF11N60DM2
STF11N60M2-EP
STF11N65M2
STF11N65M2(045Y)
STF11N65M5
STF11NM50N
STF11NM60ND
STF11NM65N
STF11NM80
STF12N120K5
STF12N50M2
STF12N65M2
STF12N65M5
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