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IPD60R280P7S,场效应管(MOSFET)英飞凌原装

更新时间:2024-07-02 06:33:06 编号:0916hvqfn473dd
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周玉军

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INFINEON/英飞凌常用型号大全
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IPD60R280P7S,场效应管(MOSFET)英飞凌原装

英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商,可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后,英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系,进一步加强和扩展了该产品组合,从而得以立足于行业。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案,如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!

工业收发器
关键特性:
传输速率高达 2 Mbit/s
符合 ISO11898 标准
仅接收模式
支持故障条件
总线唤醒
符合 CAN FD 协议
核心优势:
低电流消耗
热保护
低功率模式
的 EMI 性能
待机/休眠模式
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IRFS4615TRLPBF
IRF540NSTRRPBF
IRLR3705ZTRPBF
IRLZ24NSTRLPBF
IRFS3006TRL7PP
IPN60R360PFD7S
IRF2804STRL7PP
IRFHS8342TRPBF
BSS131H6327XTSA1
IPD60R400CEAUMA1
BSS139H6327XTSA1
BSS127H6327XTSA2
IPD350N06LGBTMA1
BSC028N06NSATMA1
IPT015N10N5ATMA1
欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”,指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS(开启).第二类是“有源”,非常适合宽开关频率,并提供业界佳的品质因数(FOM)以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC050N10NS5ATMA1
IPD031N06L3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1
BSL308CH6327XTSA1
BSC070N10LS5ATMA1
BSZ099N06LS5ATMA1
BSO220N03MDGXUMA1
BSP171PH6327XTSA1
BSS315PH6327XTSA1
SN7002NH6327XTSA2
IPD60R180P7SAUMA1
IPD110N12N3GATMA1
IPD70R360P7SAUMA1
ISC080N10NM6ATMA1
BSC016N06NSTATMA1
更多型号请联系,手机,期待你的合作!

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑,包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度,而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中,英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能,而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货,让您合作无忧。

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
IKW50N60T
IKW75N60T
IKA15N60T
IKW08T120
IKW15T120
IGW60T120
IKW30N60T
IKW40T120
IKP10N60T
IKP15N60T
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IGP20N65H5
IKW30N60H3
IKW40N60H3
更多型号请联系我们的业务专员,我们将竭诚为你服务!

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
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深圳市鑫富立科技有限公司
  • 唐苏军
  • 广东 深圳
  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2018-12-27
  • 人民币1000000万
  • IC集成电路
  • MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
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